\n\nبه نقل از ستاد توسعه فناوری نانو، یک شرکت دانش بنیان، با استفاده از تجهیزات پوشش‌دهی، پوشش‌های تزئینی با دوام بالاروی محصولاتی نظیر شیرآلات را تولید کرده‌است. این نانوپوشش‌ها در عین حال که ضخامت کمی دارند، ضدخش و ضد اسید بوده و در اثر شستشو از بین نمی‌روند.\n\nاین شرکت دانش بنیان که از سال ۱۳۸۸ کار خود را در زمینه طراحی و ساخت سیستم‌های لایه‌نشانی و تجهیزات پیشرفته تحت خلأ آغاز کرده است در حال حاضر تجهیزاتی نظیر دستگاه لایه‌نشانی تبخیر فیزیکی با استفاده از قوس کاتدی، دستگاه لایه‌نشانی تبخیر فیزیکی با استفاده از پرتو الکترونی، دستگاه اسپارک پلاسما زینترینگ، دستگاه لایه‌نشانی چند منظوره در خلأ، دستگاه پرس داغ در خلأ و کوره دما بالا – خلأ بالا را تولید و به بازار عرضه می‌کند.\n\nدستگاه لایه‌نشانی در خلأ این شرکت قابلیت پوشش‌دهی انواع سطوح فلزی، شیرآلات، لوازم خانگی و سرامیکی را دارد.\n\nدستگاه لایه‌نشانی چند منظوره با فناوری مگنترون اسپاترینگ امکان تبخیر طیف وسیعی از مواد و لایه‌نشانی بر روی انواع زیرلایه با جنس‌های متفاوت را امکانپذیر می‌سازد.\n\nاین دستگاه به گونه‌ای طراحی شده که نصب انواع دیگر چشمه‌های تبخیر، ملحقات و ادوات پیشرفته لایه‌نشانی در آن به سهولت قابل انجام است. تنوع گسترده‌ای از فیلم‌های لایه نازک (حتی زیر ۱۰۰ نانومتر)، پوشش‌های سخت و پوشش‌های نانوکامپوزیتی را می‌توان با روش PVD ایجاد کرد. TiN، TiAlN، CrN، ZrN، AlCrTiN و TiAlSiN از جمله پوشش‌هایی است که با استفاده از این فناوری قابل دستیابی است.\n\nزهره قلی‌زاده، رئیس هیئت مدیره شرکت گفت: دستگاه پوشش‌دهی در خلأ، لایه‌های نانومتری روی سطوح تزئینی ایجاد می‌کند. در بسیاری از محصولات نظیر شیرآلات، سرامیک و لوازم خانگی می‌توان از این فناوری استفاده کرد. در روش‌های رایج برای پوشش‌دهی شیرآلات، هم ضخامت پوشش بالا است و هم چسبندگی ضعیفی بین پوشش و سطح وجود دارد.\n\nوی ادامه داد: اما با این روش پوشش‌دهی در خلاء، در عین حال که ضخامت پوشش کاهش یافته، عملکرد آن بهبود می‌یابد به طوری که شیرآلات ضداسید شده و شوینده‌هایی که برای تمیزکاری استفاده می‌شوند تأثیر منفی روی پوشش ندارند.\n\nوی خاطر نشان کرد: این نانوپوشش‌ها ضدخش بوده و ماندگاری آن‌ها تا ۲۰ سال ضمانت می‌شود. هزینه جاری دستگاه‌های پوشش‌دهی شرکت بسیار پایین است و مصرف مواد در آن نیز کم است چرا که ضخامت پوشش ایجاد شده کم بوده و در حد ۵۰۰ نانومتر است.\n\n